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J-GLOBAL ID：200903046420538281

ダイヤモンドの合成方法

Inventor： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018790
Publication number (International publication number)：1994227896
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 均質でかつ大型の単結晶ダイヤモンドを気相合成によって得ることができるダイヤモンドの合成方法を提供することである。【構成】 本発明は、ダイヤモンドを気相より合成させるダイヤモンドの合成方法において、複数のダイヤモンド結晶板同士の結晶方位のずれをいかにして小さく抑えて大型で良質のダイヤモンド膜を形成するかについて開示する。本発明に従うダイヤモンドの合成方法では、自形を呈するダイヤモンド単結晶1を成長面(100)面1aに平行にスライスし、ダイヤモンド結晶板2を得る。得られた複数のダイヤモンド結晶板2同士を自形面(111)面で接触するように配置することでほぼ同一の結晶方位[100]を示す面が平面状に繋がった一体の気相成長用基板3を得る。この基板3上にダイヤモンドを気相成長させて一体のダイヤモンド膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドを気相合成させる方法であって、高圧下で成長した自形を呈するダイヤモンド結晶を、前記高圧下における成長時の成長面の一つに対して平行に切断することで、複数のダイヤモンド結晶を製作し、前記複数のダイヤモンド結晶同士をそれぞれに形成されている自形面で接触させることにより、前記複数のダイヤモンド結晶の表面にそれぞれ現われ、前記成長面の一つと平行でかつほぼ同一の結晶方位を示す複数の面が平面状に繋がった集合面を形成し、前記集合面上にダイヤモンドを気相成長させて一体のダイヤモンド膜を得ることを特徴とする、ダイヤモンドの合成方法。