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J-GLOBAL ID：200903046423840248

インバータ装置

Inventor：
安藤 太郎

About 安藤 太郎


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260489
Publication number (International publication number)：1996126337
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 電力用半導体素子に流れる電流の急激な変化により電力用半導体素子とヒートスプレッダ間に発生した温度差による熱ストレスを考慮して電力用半導体素子の寿命判定をする。【構成】 電流検出部110からの検出電流と放熱フィン温度検出部120からの検出温度に応じてトランジスタ107の温度を推定するトランジスタ温度推定部20と、推定温度の変化における振幅に基いてトランジスタ107の熱ストレス回数St1 を演算・積算するトランジスタ温度変化幅熱ストレス演算部21及び推定温度の変化における割合に基いてトランジスタ107の熱ストレス回数St2 を演算・積算するトランジスタ温度変化率熱ストレス演算部23の出力St1 、St2 とトランジスタ107の固有の許容熱ストレス回数とを比較して、トランジスタ107が寿命となったか否かを判定するトランジスタ寿命判定部22aとから構成される。
Claim (excerpt)：
複数の電力用半導体素子を有するインバータ装置において、前記電力用半導体素子に流れる電流またはこの電流に応じた電流を検出する電流検出手段と、前記電力用半導体素子に発生する熱に応じた温度を検出する温度検出手段と、前記電流検出手段からの検出電流と前記温度検出手段からの検出温度とに応じて前記電力用半導体素子の温度を推定する温度推定手段と、前記温度推定手段で推定した推定温度の変化における振幅に基いて前記電力用半導体素子の熱ストレスを演算し、積算する温度変化幅熱ストレス演算手段と、前記温度推定手段で推定した推定温度の変化における割合に基いて前記電力用半導体素子の熱ストレスを演算し、積算する温度変化率熱ストレス演算手段と、前記温度変化幅熱ストレス演算手段及び前記温度変化率熱ストレス演算手段の出力と前記電力用半導体素子の固有の許容熱ストレスとを使用して、前記電力用半導体素子の寿命を演算する寿命演算手段と、を備えたことを特徴とするインバータ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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