Pat

J-GLOBAL ID：200903046431621300

モデルパラメータ抽出方法及び装置

Inventor： 見山 美可子 ,  蒲原 史朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999127930
Publication number (International publication number)：2000322456
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】MOSモデルの1つであるBSIM3のモデルパラメータ抽出に際して、物理性の高いパラメータの値を抽出するための抽出方方法を提供する。【解決手段】測定したVds-IdsとVgs-Idsのデータ1から、デバイスの短チャネル効果、狭チャネル効果、基板効果、サブスレッショルドスイング特性、サーフェスパンチスルー特性等の中間データ2を生成する。生成した中間データの値と別途測定したデバイス構造データ4からそれぞれの特性に対応したパラメータ値の抽出5を行う。【効果】物理性の高い値でモデルパラメータを抽出することができ、一部のデバイス条件を変更した場合、抽出したパラメータ値を基に、変更した条件に対応したパラメータ値を変更するだけで精度よく変更後の特性を予測できる。

Claim (excerpt)：

測定したMOSFETのデバイス特性測定データと、前記MOSFETのデバイス構造データとから回路シミュレーション用のMOSFETモデルのパラメータ値を抽出するモデルパラメータ抽出方法において、前記デバイス特性測定データから所定のデバイス特性に関するデバイス特性中間データを生成し、生成された前記デバイス特性中間データと前記デバイス構造データとから、前記所定のデバイス特性に関して予め割り当てられている前記MOSFETモデルの各モデルパラメータに対するパラメータ値をそれぞれ独立に抽出することを特徴とするモデルパラメータ抽出方法。

IPC (5)：

G06F 17/50 ,  G01R 31/26 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

G06F 15/60 666 L ,  G01R 31/26 B ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 301 Z

F-Term (11)：

2G003AA02 ,  2G003AB01 ,  2G003AF02 ,  2G003AH00 ,  2G003AH01 ,  2G003AH05 ,  5B046AA08 ,  5B046BA03 ,  5B046JA04 ,  5F040DA00 ,  5F040EA00