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J-GLOBAL ID：200903046482201852

レジスト現像方法

Inventor： 田中 雄介 ,  藤井 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993012184
Publication number (International publication number)：1994224116
Application date： Jan. 28, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【構成】 ウェハ1の表面に塗布したレジスト2に対して所定のパターンを転写するリソグラフィ工程に於いて、レジスト2の所定の領域2’を感光させた後、その表面に現像液3を滴下して、該レジストの感光領域若しくは非感光領域のいずれかを溶解除去して所望のレジストパターン4を現出させ、リンス液5でウェハ表面をリンスする。その後、該レジストパターンの表面が濡れた状態でリンス液を凍結させ(5’)、減圧下で昇華させることによってレジストパターンの表面を乾燥させ、所望のレジストパターンを得ることを特徴とするレジスト現像方法である。【効果】 一般にSRリソグラフィ技術等がめざす高アスペクト比の超微細パターンの現像工程において、パターンにリンス液の表面張力が作用するのを回避し、パターンの倒壊を防止する。

Claim (excerpt)：

所定のパターンを転写したレジスト膜の現像において、現像液で現出させたレジストパターンの表面をリンス液で洗浄後、リンス液を凍結させ減圧下で昇華させて表面を乾燥させることを特徴とするレジスト現像方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-043730
  
• ピンジャック
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-038076   Applicant：ソニー株式会社