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J-GLOBAL ID：200903046486074383

半導体装置とその製法

Inventor： 田原 傑
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992309590
Publication number (International publication number)：1994140396
Application date： Oct. 23, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高精度の配線形成を可能にする。【構成】 半導体基板10の表面を覆う絶縁膜12の上にポリSi、WSi2、Al又はAl合金等の導電材層14Aを形成した後、層14Aの表面に反射防止膜として窒化シリコン膜16Aを被着する。膜16Aの上にレジスト層18Aを形成した後、層18Aにフォトリソグラフィ処理を施すことにより所望の配線パターンに対応してレジスト層18を残存させる。層18をエッチングマスクとして膜16Aを選択的にエッチングすることにより層18に対応して窒化シリコン膜を残存させる。レジスト層18及び残存する窒化シリコン膜をエッチングマスクとして又は層18の除去後に残存する窒化シリコン膜をエッチングマスクとして層14Aを選択的にエッチングすることにより層14Aの残存部からなる配線層を得る。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が光反射性を有する導電材層と、この導電材層の表面に被着された反射防止膜とを有する配線をそなえた半導体装置において、前記反射防止膜を窒化シリコン膜で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (2)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/30 361 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-144916
  
• 特開平1-241125
  
• 特開平4-144230