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J-GLOBAL ID：200903046501172842

低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法

Inventor： アルフレッド・グリル ,  ヴィシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・パテル
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997022701
Publication number (International publication number)：1997246264
Application date： Feb. 05, 1997
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フッ素化環式炭化水素前駆物質から、電子装置に誘電絶縁層として使用する非晶質フッ素化炭素皮膜を形成する。【解決手段】 この前駆物質は、ヘキサフルオロベンゼン、1,2-ジエチニルテトラフルオロベンゼン、および1,4-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンからなるグループから選択することができる。皮膜は、イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する付着技術、およびプラズマを使用する化学的気相付着技術などの、放射またはビームを使用する付着技術により付着させる。この皮膜は400°Cまでの非酸化雰囲気中では熱に対して安定であり、誘電率が3.0より小さい。【効果】 この皮膜は、相互接続構造中の導体を分離するための絶縁体として使用するのに適する。

Claim (excerpt)：

フッ素化環式炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素皮膜。

IPC (8)：

H01L 21/314 ,  C01B 31/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/768 ,  C07C 22/08 ,  C07C 25/13

FI (8)：

H01L 21/314 A ,  C01B 31/00 ,  C23C 14/06 G ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/00 F ,  C07C 22/08 ,  C07C 25/13 ,  H01L 21/90 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フッ化炭素組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229056   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ