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J-GLOBAL ID：200903046513137643

半導体デバイス

Inventor： 梶川 靖友 ,  川津 善平
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996270118
Publication number (International publication number)：1998116786
Application date： Oct. 11, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 InGaAs層よりも、GaAs基板に対する格子不整が小さく、かつバンドギャップエネルギーの小さい、歪みを有する半導体層を備えた半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型下側クラッド層2、アンドープ下側ガイド層兼障壁層3、アンドープTlGaAs量子井戸層4、アンドープ上側ガイド層兼障壁層5、p型上側クラッド層6、及びp型コンタクト層7を順次配置した。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、該GaAs基板上に配置された、III 族元素としてTl(タリウム)及びGa(ガリウム)を含み、V族元素としてAs(砒素)を含む、格子定数がGaAsより大きいIII-V族混晶半導体層を備えたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/20 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭51-138384
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-246977   Applicant：株式会社リコー
• 特開昭63-053914