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J-GLOBAL ID：200903046515154189
エッチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055956
Publication number (International publication number)：1995094493
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 エッチングしようとする酸化物薄膜とマスク材とのエッチング選択比が大きく、エッチング異方性が大きく、エッチング表面のモルフォロジーの劣化が小さく、エッチング前後での薄膜の物性変化が小さく、汎用性がある酸化物薄膜の微細な加工に適したエッチング方法を提供する。【構成】 酸化物薄膜を有機レジスト膜でマスクし、これをイオンミリング法でエッチングするに際し、エッチングガスとしてクリプトンガス、キセノンガス、臭素ガス、ヨウ素ガス、6フッ化硫黄及び4フッ化炭素から選ばれる一種以上を含むガスを用い、エッチング溝深さをD、有機レジストの膜厚をtとしたとき、これらの関係が下記式、【数1】t < 10Dを満足するようにするエッチング方法。
Claim (excerpt)：
酸化物薄膜を有機レジスト膜でマスクし、これをイオンミリング法でエッチングするに際し、エッチングガスとしてクリプトンガス、キセノンガス、臭素ガス、ヨウ素ガス、6フッ化硫黄及び4フッ化炭素から選ばれる一種以上を含むガスを用い、エッチング溝深さをD、有機レジストの膜厚をtとしたとき、これらの関係が下記式、【数1】t < 10Dを満足するようにすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2)：
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