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J-GLOBAL ID：200903046517623496

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐々木 正義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239438
Publication number (International publication number)：1996078358
Application date： Sep. 06, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗なシリサイドを形成することができ、しかもゲート酸化膜耐圧の劣化をも抑制することのできる、半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基体11表面または多結晶シリコン13表面上に、第1の金属からなる第1の金属層19を堆積させる工程と、第1の金属層19の上に第2の金属からなる第2の金属層20を堆積させる工程と、これら第1、第2の金属層とシリコン基体11または多結晶シリコン13とを反応させてシリコン合金物16を形成する工程と、シリコン上に残された未反応の金属あるいは合金層を除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法。第1の金属が、チタンとコバルトとから選択されたいずれか一方の金属であり、第2の金属が他方の金属である。

Claim (excerpt)：

シリコン基体表面または多結晶シリコン表面上に、第1の金属からなる第1の金属層を堆積させる工程と、該第1の金属層の上に第2の金属からなる第2の金属層を堆積させる工程と、これら第1、第2の金属層と前記シリコン基体または多結晶シリコンとを反応させてシリコン合金物を形成する工程と、シリコン上に残された未反応の金属あるいは合金層を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205