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J-GLOBAL ID：200903046520196876

多結晶シリコン薄膜トランジスタ

Inventor： 北井 健一 ,  大今 進
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992320716
Publication number (International publication number)：1994169086
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 LDD構造を有するTFTにおいて、特にVDが正の場合のVGの深い領域での電流、及びVDが負の場合のVGの浅い領域での電流を低減することができる多結晶シリコン薄膜トランジスタを提供するものである。【構成】 LDD領域にソース及びドレイン電極が重畳するような構造である。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、同じ層内で不純物濃度の異なる領域を複数有する半導体層と、該半導体層の不純物濃度の高い2つの領域に対応した開口部を有するゲート絶縁膜と、前記半導体層の2つの領域間の不純物濃度の低い領域上に前記絶縁膜を介して備えられたゲート電極と、前記開口部以外の領域に形成された層間絶縁膜と、前記半導体層に開口部を介して接触したソース電極及びドレイン電極とを順次積層してなる多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン電極及びソース電極が、前記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜を介して前記半導体層の不純物濃度の低い領域の一部あるいは全部と重畳することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500