Pat
J-GLOBAL ID：200903046527498304
高周波トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000153
Publication number (International publication number)：1994204339
Application date： Jan. 05, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】高周波トランジスタの内部整合回路の回路定数を容易に可変できるようにする。【構成】ベース接地されたトランジスタQ1 のエミッタ電極にボンディングワイヤ2を介して接続されたMOSコンデンサC1 にPROM型のスイチングトランジスタQ11,Q12,Q13を直列接続したMOSコンデンサC11,C12,C13のそれぞれを並列に接続し、スイッチングトランジスタQ11,Q12,Q13のオン・オフによりMOSコンデンサC1 に付加される容量を変化させ、内部整合回路のインピーダンス整合を行う。
Claim (excerpt)：
パッケージ内にマウントされたトランジスタ素子と、前記トランジスタ素子の入力側又は出力側にボンティングワイヤを介して接続され一端が接地されたコンデンサを有する内部整合回路を備えた高周波トランジスタにおいて、前記コンデンサに並列に接続して前記コンデンサの容量を可変させるための複数のPROM型スイッチングトランジスタとMOSコンデンサとの直列接続を有することを特徴とする高周波トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/82
, H01L 27/04
, H03H 11/28
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
