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J-GLOBAL ID：200903046528915960
クラスレート化合物薄膜の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998105106
Publication number (International publication number)：1999293460
Application date： Apr. 15, 1998
Publication date： Oct. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板上にクラスレート化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによりクラスレート化合物のデバイスへの応用を可能とする。【解決手段】 IV族元素基板上にアルカリ金属等の蒸着膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理し、その後真空中で加熱処理する。希ガス雰囲気下の加熱処理は100〜650°C、真空中での加熱処理は250〜650°Cで行う。
Claim (excerpt)：
(A)IV族元素基板上にアルカリ金属の蒸着膜を形成した後、該基板を希ガス雰囲気下で加熱処理する工程と、(B)該基板を真空中で加熱処理する工程とを含むことを特徴とするクラスレート化合物薄膜の作製方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/58 A
, C01B 33/02
