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J-GLOBAL ID：200903046547380369

半導体装置を製造する方法

Inventor： パプ・マニアー ,  ジョセフ・シー・モガブ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 池内 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203645
Publication number (International publication number)：1994097121
Application date： Jul. 26, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 酸素プラズマエッチングにより基板上の導電性金属酸化物を高いエッチング選択性を持ってかつ高い分解能でパターニング可能にする。【構成】 酸素プラズマエッチング工程により基板表面上の導電性金属酸化物膜をパターニングする方法である。基板(10)に誘電層(12)の上に横たわるルテニウム酸化物層(14)が設けられる。該基板は真空チェンバ(20)内に配置された電極(24)上に置かれかつ該真空チェンバが低い圧力に排気される酸素ガスが該真空チェンバ内に導入されかつRF電力が印加されて該真空チェンバ内に酸素プラズマを形成する。該酸素プラズマはルテニウム酸化物層(14)を選択的にエッチングしかつ下層の誘電層(12)をエッチングしない。該酸素プラズマエッチングプロセスは強誘電性容量(60)および他の電子部品の半導体装置製造の際に高い分解能のルテニウム酸化物構造物を形成可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体装置を製造する方法であって、導電性金属酸化物フィルム(14)がその上に配置された基板(10)を準備する段階、酸素ガスプラズマを使用して前記導電性金属酸化物フィルム(14)をエッチングしパターニングされた導電性金属酸化物フィルムを形成する段階、を具備することを特徴とする半導体装置を製造する方法。