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J-GLOBAL ID：200903046552625396
負イオン源
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991322216
Publication number (International publication number)：1993159894
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 負イオンビームの生成量の多い負イオン源を提供する。【構成】 負イオン引出孔である貫通孔105が形成され、放電プラズマを閉じ込める放電容器101に設けられた電極104に、放電プラズマを閉じ込める第1の磁石112a,...,113a,...と磁気カスプ線が整合するように着磁され且つ負イオン引出孔の近傍に磁気フィルタが形成されるように第2の磁石114a,114b,114cを設けるように構成したことにより、放電容器101内に形成される放電プラズマ閉じ込め磁界の磁気カスプ線が負イオンを引き出す電極104部分でも連続したものとなり、また磁気フィルタが貫通孔105の近傍に形成されるので、放電容器101内での放電プラズマ密度の低下が防止でき、磁気フィルタを介しての負イオンの生成が助長されて負イオンビームの生成量が多くなる。
Claim (excerpt)：
放電容器と、この放電容器内に放電プラズマを閉じ込めるように配設された第1の磁石と、前記放電プラズマから負イオンを前記放電容器外に引き出すように設けられた電極と、この電極に形成された負イオン引出孔とを備える負イオン源において、前記電極が前記第1の磁石の磁気カスプ線に整合するように着磁され且つ前記負イオン引出孔の近傍に磁気フィルタを形成する第2の磁石を具備していることを特徴とする負イオン源。
IPC (4)：
H05H 1/22
, H01J 27/02
, H01J 37/08
, G21B 1/00
