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J-GLOBAL ID：200903046556898532

半導体装置の製造方法

Inventor： 川原 敬
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996248081
Publication number (International publication number)：1998098021
Application date： Sep. 19, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】酸化シリコンに微細な接続孔を開口する際、高選択で精度の良い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一般式がCmFn(ただしm、nは原子数を示す自然数であり、m≧2、n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素にArガスのような不活性ガスを混合し、プラズマ化してエッチングすることにより、酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。また、酸化シリコン膜のエッチングを下地材料層が露出する直前までのパーシャルエッチング工程とそれ以降のオーバーエッチング工程の2工程に分け、オーバーエッチング工程においてエッチングガスの組成における不活性ガスの含量比を減ずることにより、酸化シリコン膜に微細な接続孔を開口する。

Claim (excerpt)：

一般式がCmFn(ただしm、nは原子数を示す自然数であり、m≧2、n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素と不活性ガスを含むエッチングガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。