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J-GLOBAL ID：200903046559282397

DRAMセルと不揮発性メモリセルが複合された複合メモリセル及びその作製方法

Inventor： 松下 孟史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053287
Publication number (International publication number)：1994244384
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】メモリセルの占める面積が余り増加することがなく、高速でDRAMとNVMとの間での情報の転送を行うことができ、バックアップ用電源が不要であり、書き込み可能回数及び書き込み時間が基本的にはDRAM並みである、DRAMセルとNVMセルとが複合された複合メモリセル及びその作製方法を提供する。【構成】複合メモリセルは、一方の面に、フローティングゲート20及びコントロールゲート24を備えた不揮発性メモリセル並びにDRAMセルの情報蓄積部30,32,34が形成され、他方の面に、DRAMセルのチャネル領域44A及びソース・ドレイン領域44Bが形成された素子形成基板10と、この素子形成基板10の一方の面に張り合わされた支持基板50、から成る。

Claim (excerpt)：

DRAMセルと不揮発性メモリセルが複合された複合メモリセルの作製方法であって、(イ)素子形成用基板上に、フローティングゲート及びコントロールゲートを備えた不揮発性メモリセルを形成し、且つ、該素子形成用基板上に、DRAMセルの情報蓄積部を形成する工程と、(ロ)素子形成用基板の不揮発性メモリセル及びDRAMセルの情報蓄積部が形成された面と、支持基板とを張り合わせた後、素子形成用基板の一部分を除去する工程と、(ハ)残された素子形成用基板にDRAMセルのチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成する工程、から成ることを特徴とする複合メモリセルの作製方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 325 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371