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J-GLOBAL ID：200903046561009851

配線形成方法および配線部材

Inventor：
吉沼 洋人

About 吉沼 洋人


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000233964
Publication number (International publication number)：2002050851
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ポリイミド層からなる絶縁層上に給電層を形成し、この上に配線層を電解めっきにより選択めっき形成するアディティブ法による配線形成方法で、給電層の抵抗を低くでき、無電解ニッケルめっき層の表面に酸化被膜が形成されない給電層を用いた、密着性の良い配線を形成する。【解決手段】 ポリイミド層110の、配線を形成する面を粗化する工程と、ポリイミド層の粗面化された面上に、配線を形成する給電層130を設ける工程と、給電層上に、電解めっき150により選択めっき形成する配線に合せた開口を有するレジスト層140を形成する工程と、給電層上に配線を形成する工程と、レジストを除去後、露出した給電層をソフトエッチングにより除去する工程とを行なうもので、給電層形成工程が、無電解ニッケルめっき層を形成した後、更に、無電解ニッケルめっき層上に、給電層の抵抗を低下させるための抵抗率低下用金属層を形成する。
Claim (excerpt)：
ポリイミド層上に配線を形成する方法であって、順に、(a)ポリイミド層の配線を形成する面を、粗化した状態に形成する、粗面化ポリイミド層形成工程と、(b)ポリイミド層の粗面化された面上に、配線を形成する主層を電解めっき形成するための給電層を設ける給電層形成工程と、(c)給電層上に、電解めっきにより選択めっき形成する配線に合せた開口を有するレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、(d)給電層上に配線を形成する主層を電解めっき形成する配線層形成工程と、(e)レジスト層を除去後、必要に応じ洗浄処理等を施し、露出した給電層を配線を損なわないように、ソフトエッチングにより除去するソフトエッチング工程とを行なうもので、給電層形成工程が、無電解めっき用触媒を付与し、無電解ニッケルめっきを行い無電解ニッケルめっき層を形成した後、更に、無電解ニッケルめっき層上に、給電層の抵抗を低下させるため金属層である、抵抗率低下用金属層を形成するものであることを特徴とする配線形成方法。
IPC (9)：
H05K 3/18 ,  C23C 18/22 ,  C23C 18/32 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/56 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/38
FI (10)：
H05K 3/18 H ,  H05K 3/18 K ,  C23C 18/22 ,  C23C 18/32 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/12 ,  C25D 5/56 A ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/24 A ,  H05K 3/38 A
F-Term (52)：
4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022BA36 ,  4K022CA02 ,  4K022CA08 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BB11 ,  4K024BC02 ,  4K024DA09 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16 ,  4K044AA16 ,  4K044AB10 ,  4K044BA06 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BB05 ,  4K044BB10 ,  4K044BC05 ,  4K044BC14 ,  4K044CA15 ,  4K044CA18 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343AA36 ,  5E343AA38 ,  5E343AA39 ,  5E343BB17 ,  5E343BB18 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343CC61 ,  5E343CC71 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343EE33 ,  5E343ER01 ,  5E343ER11 ,  5E343ER22 ,  5E343GG04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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