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J-GLOBAL ID:200903046565797838

シクロデキストリンポリマー及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 塩澤 寿夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993213307
Publication number (International publication number):1995048451
Application date: Aug. 05, 1993
Publication date: Feb. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 複数のシクロデキストリンを規則的に配列して、シクロデキストリン単独の場合より奥行きの長い空洞を有する化合物及びその製造方法の提供。【構成】 2〜1000のシクロデキストリン単位を架橋したシクロデキストリンポリマーであって、架橋基は隣合う2つのシクロデキストリン単位の水酸基の原子を含む-O-R-O-で示され、隣合うシクロデキストリン単位間は2つ以上の架橋基で架橋されていることを特徴とするシクロデキストリンポリマー。架橋基-O-R-O-としては、例えば-O-CH2 CH(OH)CH2 -O-等を例示でき、シクロデキストリン(CD)としては、α-CD、β-CD、γ-CDを例示できる。2〜1000のシクロデキストリンを含むポリロタキサンを形成し、隣合う2つのシクロデキストリンの水酸基を架橋剤と反応させて架橋し、ついでポリロタキサンの芯物質を除去するシクロデキストリンポリマーの製造方法。
Claim (excerpt):
2〜1000のシクロデキストリン単位を架橋したシクロデキストリンポリマーであって、架橋基は隣合う2つのシクロデキストリン単位の水酸基の酸素原子を含む-O-R-O-で示され、隣合うシクロデキストリン単位間は2つ以上の架橋基で架橋されていることを特徴とするシクロデキストリンポリマー。
IPC (2):
C08G 65/34 NQS ,  C08B 37/16

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