Pat

J-GLOBAL ID：200903046568905232

半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092389
Publication number (International publication number)：1993267220
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】高耐熱性で且つ優れた密着性を有し、形成時にパーティクルの生成が少なく、しかも、形成時の原料ガスの制御が容易であり、更には、特性の安定した、半導体装置のメタルプラグのための密着層を提供する。更には、かかる密着層の形成を含むメタルプラグの形成方法を提供する。【構成】密着層は、TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成る。また、メタルプラグ形成方法は、(イ)半導体基板100上に形成された層間絶縁層104に開口部106を形成する工程と、(ロ)TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成る密着層110を、層間絶縁層の上面及び開口部内に形成する工程と、(ハ)金属材料112を開口部内に形成する工程、から成る。

Claim (excerpt)：

TiBX、TiCX、TiBXN1-X又はTiCXN1-Xから成る群から選ばれた組成から成ることを特徴とする、半導体装置のメタルプラグのための密着層。

IPC (3)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90