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J-GLOBAL ID：200903046574108166

レジストパターンの形成方法

Inventor： 時友 一雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992103288
Publication number (International publication number)：1993297597
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成に関し、ハーフ・サブミクロンのパターンを解像性よく形成することを目的とする。【構成】 被処理基板上に架橋剤を添加したポジ型レジストを被着した後、このレジスト上に化学増幅型のネガ型X線レジストを塗布し、X線の選択露光と露光後ベークを行い、現像してX線レジストよりなるパターンを形成した後、紫外線の全面露光を行い、アルカリ現像することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

被処理基板上に架橋剤を添加したポジ型レジストを被着した後、該レジスト上に化学増幅型のネガ型X線レジストを塗布し、X線の選択露光と露光後ベークを行い、現像してX線レジストよりなるパターンを形成した後、紫外線の全面露光を行い、アルカリ現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 L