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J-GLOBAL ID:200903046581438236
半導体装置及びその実装構造
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995214466
Publication number (International publication number):1997064099
Application date: Aug. 23, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】 搭載した半導体素子の両面側から放熱することができる、放熱性が改善された半導体装置を提供する。【解決手段】 基板10に搭載された半導体素子14の一面側に設けられた接続端子16と、半導体素子14の搭載面近傍の基板面に配設された外部接続端子とが、前記基板面に形成された導体パターン12を介して接合され、且つ半導体素子14の接続端子16と導体パターン12の一端との接続部が封止樹脂によって封止されて成る半導体装置において、該半導体素子14の一面側に形成された接続端子16と、前記基板面に形成された導体パターン12の一端とがフリップチップボンディング方式で接続され、且つ半導体素子14の他面側が封止樹脂によって形成された樹脂封止層17から露出することを特徴とする。
Claim (excerpt):
基板に搭載された半導体素子の一面側に設けられた接続端子と、前記半導体素子の搭載部近傍の基板面に配設された外部接続端子とが、前記基板面に形成された導体パターンを介して接続され、且つ半導体素子の接続端子と導体パターンの一端との接続部が封止樹脂によって封止されて成る半導体装置において、該半導体素子の一面側に設けられた接続端子と、前記基板面に形成された導体パターンの一端とがフリップチップボンディング方式で接続され、且つ半導体素子の他面側が封止樹脂によって形成された樹脂封止層から露出することを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60 311
, H01L 23/28
FI (2):
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/28 A
Patent cited by the Patent: