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J-GLOBAL ID：200903046592446273

ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法

Inventor： 平林 敬二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991339371
Publication number (International publication number)：1993152604
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 大電流で動作可能で、絶縁性が高く、十分な輝度が得られ、耐久性の高いダイヤモンド半導体による発光素子を得る。【構成】 絶縁性基板1上の所定の位置に、単一核より、ダイヤモンド半導体2を形成し、このダイヤモンド結晶上に、独立にショットキー接合電極3とオーミック接合電極4とを形成し、この電極間に直流電源5により順方向に電圧を印加して、前記ダイヤモンド結晶に電界発光を生じさせることを特徴とするダイヤモンド半導体装置。また、pn接合を含むダイヤモンド半導体装置において、p型半導体部分がホウ素を不純物として含み、n型半導体部分がリチウムを不純物として含むことにより、大電流で動作可能かつ耐久性の高いダイヤモンド半導体装置を作成する。

Claim (excerpt)：

気相合成法により形成されるpn接合を含むダイヤモンド半導体において、p型半導体部分がホウ素を不純物として含み、n型半導体部分がリチウムを不純物として含むことを特徴とするpn接合を含むダイヤモンド半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H05B 33/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-112177
  
• 特開平3-029381
  
• 特開平2-030697
  
• 特開平3-171680
  
• 特開平3-259575