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J-GLOBAL ID：200903046592596453

半導体レーザ装置

Inventor： 岡井 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995005475
Publication number (International publication number)：1996195530
Application date： Jan. 18, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】六方晶の結晶系の半導体を用いた半導体レーザを提供すること。【構成】六方晶の結晶系のAl2O3基板1の(0001)面上に、エピタキシャル成長層の多層構造を設け、所望の層の表面に、(10-11)、(01-11)、(-1101)、(-1011)、(0-111)及び(1-101)面の少なくとも一つの面からなる回折格子7を設け、これを共振器とした半導体レーザ。基板の(10-10)面上に、(10-11)、(-1011)、(1-100)及び(01-10)面の少なくとも一つの面からなる回折格子を設けてもよい。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に配置された六方晶の結晶系を有するエピタキシャル成長層の多層構造とを有し、所望の該エピタキシャル成長層の表面に、(10-11)、(01-11)、(-1101)、(-1011)、(0-111)及び(1-101)面からなる群から選ばれた少なくとも一つの面から構成された回折格子が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00