Pat
J-GLOBAL ID:200903046595967797
化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001517431
Publication number (International publication number):2003507889
Application date: Aug. 18, 2000
Publication date: Feb. 25, 2003
Summary:
【要約】所定の電流・電圧特性を有し、室温において動作可能な化学または生物センサとしての用途に適合した化学的にゲート動作する単一電子トランジスタ(60)が提供される。この単一電子トランジスタは、第1の絶縁材から形成された基板(SuB)と、その基板上に配置されたソース電極(S)及びドレイン電極(D)と、そのソース電極とドレイン電極との間に配置された約12nm以下の大きさの空間寸法を有する金属ナノ粒子(L)とを備える。検出物特異性結合剤がナノ粒子の表面上に配置される。目標検出物と結合剤の間に発生する結合事象により電流・電圧特性の検出可能な変化が引き起こされる。
Claim (excerpt):
所定の電流・電圧特性を有し、室温において動作可能な化学または生物センサとしての用途に適合した、化学的にゲート動作する単一電子トランジスタであって、 (a)第1の絶縁材から形成された基板と、 (b)前記基板上に配置されたソース電極と、 (c)前記基板上に配置されたドレイン電極と、 (d)前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置された約12nmまたはそれ以下の大きさの空間寸法を有する金属ナノ粒子と、 (e)前記ナノ粒子の表面上に配置された検出物特異性結合剤であって、目標検出物との間に発生する結合事象によって前記電流・電圧特性の検出可能な変化が引き起こされる検出物特異性結合剤と を具備してなる化学的にゲート動作する単一電子トランジスタ。
IPC (4):
H01L 29/66
, B82B 1/00
, G01N 27/414
, H01L 29/06 601
FI (6):
H01L 29/66 S
, H01L 29/66 C
, B82B 1/00
, H01L 29/06 601 N
, G01N 27/30 301 U
, G01N 27/30 301 N
Return to Previous Page