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J-GLOBAL ID：200903046599250846

配線構造およびその製造方法

Inventor： 前川 薫 ,  妹尾 幸治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131182
Publication number (International publication number)：2000323476
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 銅を用いた配線におけるエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】 配線105aの層間絶縁膜102における露出面を窒化することで、窒化層111を形成する。その窒化層111の形成のための窒化処理は、たとえば、窒素ガスもしくはアンモニアガスのいずれかもしくは両方を用い、それらガス雰囲気で上述した配線105aを加熱処理することで行う。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された絶縁体からなる層間膜と、この層間膜上に形成された銅からなる配線と、この配線の露出面に形成された銅の窒化物からなる窒化層と、前記配線および前記層間膜上に形成されたシリコン窒化物からなる表面保護膜とを少なくとも備えたことを特徴とする配線構造。

F-Term (16)：

5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ90 ,  5F033XX05 ,  5F033XX14