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J-GLOBAL ID：200903046601201688

薄膜光センサ

Inventor： 金子 好之 ,  山口 宗明 ,  筒井 謙
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992036001
Publication number (International publication number)：1993235398
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】明暗電流比を改善向上した光センサ用途の非晶質シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体層4に関し、ゲート電極2とは反対側に絶縁膜を介して透明なゲート補助電極10を設け、これに固定の電圧を印加して駆動する。【効果】半導体層の電位浮遊の界面の制御が確実になり、その結果、明暗電流比が安定する。

Claim (excerpt)：

少なくともゲート電極,ゲート絶縁膜である第一の絶縁膜,半導体層,ソース電極およびドレイン電極を有し、前記半導体層に関し前記ゲート電極とは反対側に第二の絶縁膜を介して導電性のゲート補助電極を含む薄膜光センサであって、前記ゲート補助電極が透明電極で形成され、光が透明電極側から入射され、前記ゲート補助電極の電位を固定して駆動することを特徴とする薄膜光センサ。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 31/10 E ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 311 J