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J-GLOBAL ID：200903046604533770
改良された化学気相蒸着チャンバ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994067474
Publication number (International publication number)：1994306615
Application date： Apr. 05, 1994
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板14周辺の温度低下及び基板14にわたる温度の不均一性の原因が取り除くことを目的とする。【構成】 上に取り付けられた基板14を均一に加熱するために、1個のコイル抵抗ヒータ200によって加熱されるサセプタ210と、処理中に基板14をサセプタ210に堅固に取り付け、これにより少なくとも部分的に基板14裏側の蒸着を防止するとともに、加熱されたサセプタ210から基板14への熱の移動を促進する真空ライン216と、処理ガスが基板14の底部エッジ及び裏側に到達するのを防止する掃気ガスライン222と、基板14上の均一なギャップを維持する掃気ガイド226とを備えている。
Claim (excerpt)：
先行ガス(precursor gas )の源、処理される基板を支持するための加熱される金属のサセプタ、及びチャンバのための真空排気システムを含む化学気相蒸着の単一基板式ないしは枚葉式(single substrate)真空チャンバにおいて、a) 前記サセプタ内に取り付けられた抵抗コイルであって、上記金属が全側面で接触するもの、b) 基板を前記サセプタに取り付けるための、チャンバ排気用真空源とは分離した真空源に接続された、前記サセプタを通る真空供給ライン、c) 前記サセプタ上に取り付けられた基板の端部の外の複数の開口部に接続された、前記サセプタを通る掃気ガス(purge gas )ライン、及びd) 前記基板とともに、掃気ガスのための固定されたギャップの通路を提供する手段を備えたチャンバ。
Patent cited by the Patent：
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