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J-GLOBAL ID：200903046621135762

MIS型半導体装置

Inventor： 宮本 正文 ,  永井 亮 ,  石井 達也 ,  関 浩一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183448
Publication number (International publication number)：1994029522
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】短チャネル時のしきい値の低下を抑え、ゲート加工のばらつきによるしきい値のばらつきを低減し、高い移動度を持つMIS型半導体装置を提供すること。【構成】チャネル領域の半導体基板表面5を低濃度にし、内部に表面濃度よりも高濃度な埋込領域6、7を反転層形成時に基板表面から広がる空乏層の深さよりも浅く設ける。高濃度埋込領域のうちチャネルの端からチャネル領域へ一定距離Lpの領域7の濃度をチャネル中央部の領域6の高濃度領域よりも高くする。【効果】チャネル長が短くなることによるしきい値の低下は、一定距離Lpの高濃度埋込領域7の割合が大きくなることによるしきい値の上昇によりほほ相殺される。チャネルが形成される基板表面5は低濃度であるので、高移動度を達成することができる。

Claim (excerpt)：

チャネル領域である半導体基板の低不純物濃度の表面領域と、該表面領域下部の前記半導体基板の内部に設けられ前記表面領域より高不純物濃度である高不純物濃度領域とを具備したMIS型半導体装置において、前記高不純物濃度領域は前記チャネル領域の中央部直下の中央部高不純物濃度領域と前記チャネル領域の端部の両側あるいは片側の直下の端部高不純物濃度領域とから構成され、該中央部高不純物濃度領域の不純物濃度より該端部高不純物濃度領域の不純物濃度が高く設定されてなることを特徴とするMIS型半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-120067
  
• 特開平1-280358
  
• 特開昭61-292963
  
• 特開平3-250667