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J-GLOBAL ID：200903046621757836

有機トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 青木 伸也
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000402664
Publication number (International publication number)：2002204012
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 オン電流が大きく、電流オン・オフ比の大きなトランジスタの提供【解決手段】 ソース電極5およびドレイン電極6が分離して形成されたドナー性の有機半導体層4中に、ゲート絶縁層3を介して形成されたゲート電極2に印加するゲート電圧を制御することで、前記有機半導体層中にチャネル領域を形成する有機トランジスタにおいて、前記有機半導体層4は、ドナー性の導入分子および有機半導体材料との錯体と、有機半導体材料とを含有する混合体からなり、前記ソース電極5と前記チャネル領域とに接する第2の領域4-1と、前記錯体を含有しない領域4-3とを具備する。

Claim (excerpt)：

有機半導体材料とアクセプター性あるいはドナー性の導入分子とが結合して構成される電荷移動錯体と、前記有機半導体材料とを含み、第1領域と前記第1領域に隣接する第2領域を有する有機半導体層と、前記有機半導体層内のチャネル領域上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域とを具備し、前記第1領域は、前記チャネル領域を含み、前記有機半導体材料1モノマー当たり0または10-5個未満の前記導入分子を含有し、前記第2領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の少なくとも一方を含み、前記有機半導体材料1モノマー当たり10-5個以上の前記導入分子を含有することを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (19)：

5F110AA05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27