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J-GLOBAL ID：200903046623126973

発光ダイオードアレイ及びその製造方法

Inventor： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄 ,  清水 孝篤
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009420
Publication number (International publication number)：1996204231
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発光ダイオードアレイの発光効率と寿命の向上を図り得る発光ダイオードアレイ及びその製造方法を提供する。【構成】 n型化合物半導体基板にZnを選択的に拡散してなる発光ダイオードアレイにおいて、拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散層13bと、この接合深さの浅い拡散層13bの周囲に形成される接合深さの深い拡散層13aと、前記接合深さの浅い拡散層13bにコンタクトをとるp側電極としてのAl電極14とを設ける。

Claim (excerpt)：

n型化合物半導体基板にZnを選択的に拡散してなる発光ダイオードアレイにおいて、(a)拡散領域内の一部に形成される接合深さの浅い拡散層と、(b)該接合深さの浅い拡散層の周囲に形成される接合深さの深い拡散層と、(c)前記接合深さの浅い拡散層にコンタクトをとるp側電極とを具備する発光ダイオードアレイ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭56-040285
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-324599   Applicant：沖電気工業株式会社