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J-GLOBAL ID：200903046632091651

小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置

Inventor： ニコラス・アール・ホワイト ,  マニー・シエラズキー ,  アントニー・レノー
Applicant, Patent owner： ダイアモンド・セミコンダクタ・グループ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994066475
Publication number (International publication number)：1994342639
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 工業用注入タスクとして有用で、連続方式で大きな領域を均一に注入する高電流イオンビーム装置を開発することである。【構成】 本発明によるイオンビーム注入装置100は、特別な細長孔形発生源2と、ビーム1を拡大し偏向し収束するための分析磁石3と、収束されたビームのうち不都合なイオンを遮断する分解スリット4と、分解スリット4を通過したビームをさらに偏向しかつ平行にする第二磁石3とから構成されて、1mA以上の電流及び数keV以上のエネルギーで高均一性の幅広リボン形ビームを達成する。

Claim (excerpt)：

一定投与量のイオンを加工品へ注入するためのイオン注入装置において、横方向の長さ及び幅の次元をもつ形状をもち、長さと幅の両次元で発散し、少なくとも一つの横方向次元で電流密度が実質的に一定である、ビームを発生するイオン源と、前記ビームを分解開口へ収束させて不都合な前記ビーム成分を拒絶させるための分析磁石と、前記分解開口へ転送した後前記ビームを受け入れて偏向し形作って出力ビームとして前記加工品に注入するための第二磁石と、を有することを特徴とし、前記分析磁石と第二磁石とが共にイオン源によって発生されるビームの曲線を拡大して変更し、その結果前記出力ビームが実質的に平行なイオン曲線のリボン形ビームであって前記出力ビームの前記横方向次元の一方が前記加工品よりも長く前記横方向次元の他方が前記加工品よりも実質的に短く、そして前記長い方の次元沿いに電流密度が実質的に一定である、前記イオン注入装置。

IPC (2)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265