超薄型半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：有吉教晴 , 有吉修一朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003383056
Publication number (International publication number)：2004179649
Application date： Nov. 12, 2003
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】従来の50μmよりも薄い、例えば1〜10μm程度の超薄型半導体装置の製造方法および製造装置の提供。【解決手段】種子基板20に低多孔質Si層21、高多孔質Si層22、低多孔質Si層23、単結晶Si層24を形成し、支持基板25に低多孔質Si層26、高多孔質Si層27、低多孔質Si層28、単結晶Si層29、絶縁層30を形成し、種子基板20および支持基板25を絶縁層30の形成面で貼り合わせ、種子基板20を、種子基板20の高多孔質Si層22から分離し、水素アニール処理により単結晶Si層24の表面をエッチングして平坦化し、単結晶Si層24に半導体デバイスおよび突起状のバンプ電極を形成し、スクライブライン内に、少なくとも高多孔質Si層27まで切り溝を入れた後、糊残りのない導電性のUV照射硬化型テープで、単結晶Si層24の表面を保護し、高多孔質Si層27から支持基板25を分離する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

それぞれ半導体からなる種子基板と支持基板とを絶縁層を介して貼り合わせる工程と、前記種子基板に形成した多孔質層から前記種子基板を分離する工程と、前記支持基板に形成した多孔質層から前記支持基板を分離する工程とを含む超薄型半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265

FI (5)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B , H01L21/02 C , H01L21/20 , H01L21/265 Q

F-Term (2)：

5F052DA03 , 5F052KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開平4-297056号公報
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-236260 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (14)

薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-023847 Applicant：キヤノン株式会社
半導体部材及び半導体装置並びにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-264673 Applicant：キヤノン株式会社
特開平4-297056

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