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J-GLOBAL ID：200903046663537437

量子サイズ効果を用いたスピン注入磁化反転磁気抵抗素子

Inventor： 大岩 顕 ,  宗片 比呂夫 ,  守谷 頼 ,  樫村 之哉
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (3)： 今村 健一 ,  平木 祐輔 ,  渡辺 敏章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003172473
Publication number (International publication number)：2005011907
Application date： Jun. 17, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】スピン注入磁化反転の効率化と、これに伴う磁化反転に必要な電力を低減する。【解決手段】p+-GaAs層31とp-GaAs下部電極層33と(Ga,Mn)As固定層35とAlAs第2障壁層37と(In,Ga,Mn)As磁化反転層39とAlAs第1障壁層41と透明電極層45との積層構造を有する。(Ga,Mn)As固定層35の磁化方向は固定され、(In,Ga,Mn)As量子井戸層(磁化反転層)39はフリー層である。円偏光を照射しない場合、磁化反転層39の磁化方向は前回の状態を保持し積層方向の抵抗は低い状態となる。積層方向に右円偏光を照射すると磁化反転層の磁化の方向が変化し、円偏光を照射したことにより固定層35と磁化反転層39との磁化方向が異なり(反平行磁化)、円偏光の照射を停止しても反平行磁化状態を維持するため抵抗は低く不揮発にこの状態を記憶する。積層方向に再び円偏光を照射すると固定層35と磁化反転層39との磁化の向きが同じとなり抵抗が高い。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

キャリアを量子的に閉じ込め可能な量子磁性半導体構造であって、前記量子磁性半導体の価電子帯の重い正孔と軽い正孔状態の縮退を解いた半導体磁性領域を準備するステップと、 該量子磁性半導体に対して楕円偏光を照射するステップと を有することを特徴とするスピン注入磁化制御方法。

IPC (5)：

H01L43/08 ,  G01R15/22 ,  G01R33/09 ,  G11C13/06 ,  H01L27/105

FI (6)：

H01L43/08 S ,  H01L43/08 Z ,  G11C13/06 Z ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R ,  G01R15/07 Z

F-Term (8)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  2G025AB11 ,  2G025AC06 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06 ,  5F083JA60