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J-GLOBAL ID：200903046673021935
電子装置の冷却構造
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991207763
Publication number (International publication number)：1993047968
Application date： Aug. 20, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電源回路等の高発熱回路と一般的な低発熱回路とをセラミック基板に設けた、電子装置の冷却構造に関し、高発熱部品,低発熱部品両者の放熱性が良く、且つ信号の高速化,装置の小形化が促進される冷却構造を提供することを目的とする。【構成】 底板に高台部11と低台部12とを有する記金属ケース1と、高台部11に対向して凹部21を有し、凹部21の底板部の所望の個所に孔22が穿孔された金属カバー2と、表面に高発熱部品3を含む高発熱回路Mが形成され、裏面が高台部11の上面に固着された低誘電率・高熱伝導性基板5と、表面に低発熱部品4を含む低発熱回路Nが形成され、裏面が低台部12の上面に固着された低誘電率・低熱伝導性基板6とを備え、高発熱部品3は、金属カバー2の凹部21に充填され孔22を経て流出した高熱伝導性樹脂30により、覆われている構成とする。
Claim (excerpt)：
高発熱回路(M)と低発熱回路(N)とが形成されたセラミック基板を金属カバー(2) 付きの金属ケース(1) に収容した電子装置において、底板に高台部(11)と低台部(12)とを有する前記金属ケース(1) と、該高台部(11)に対向して凹部(21)を有し、該凹部(21)の底板部の所望の個所に孔(22)が穿孔された前記金属カバー(2) と、表面に高発熱部品(3) を含む前記高発熱回路(M)が形成され、裏面が該高台部(11)の上面に固着された低誘電率・高熱伝導性基板(5) と、表面に低発熱部品(4) を含む前記低発熱回路(N)が形成され、裏面が該低台部(12)の上面に固着された低誘電率・低熱伝導性基板(6) とを備え、該高発熱部品(3) は、該金属カバー(2) の凹部(21)に充填され該孔(22)を経て該低誘電率・高熱伝導性基板(5) 側に流出した高熱伝導性樹脂(30)により、覆われていることを特徴とする電子装置の冷却構造。
IPC (2)：
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