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J-GLOBAL ID：200903046682384617
半導体用プローブ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993289666
Publication number (International publication number)：1995140168
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 試験対象とのコンタクトを繰り返したときに異物が付着するのを防止できる半導体用プローブを得る。【構成】 タングステン粒子2の粒子間を充填する異種金属3をタングステンに混合した混合物を半導体用プローブの材料として使用するようにした。【効果】 プローブに異物が付着するのを防止でき、プローブ針を研磨する必要がなくなり、異物が付着するために接触抵抗が増加してウエハテストで誤判定が生じるのを防止できる。
Claim (excerpt)：
タングステンとこのタングステン粒子の粒子間を充填するための異種金属との混合物を材料として用いたことを特徴とする半導体用プローブ。
IPC (2)：
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