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J-GLOBAL ID:200903046687970492
画像表示装置、有機EL素子および画像表示装置の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
酒井 宏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002281527
Publication number (International publication number):2004119210
Application date: Sep. 26, 2002
Publication date: Apr. 15, 2004
Summary:
【課題】異なる層上に配設された有機EL素子と発光制御回路とを接続する配線構造が良好な電気伝導性を有する画像表示装置を実現すること。【解決手段】基板1上に発光制御回路を構成する薄膜トランジスタ2、3および導電層4、5等が配設されている。基板1、薄膜トランジスタ2、3および導電層4、5上には導電層5の一部領域上に穴構造を備えた平坦化層6が配設されている。また、平坦化層6の一部領域上には有機EL素子13が配設されると共に、平坦化層6に設けられた穴構造に沿ってコンタクト部14が配設される。コンタクト部14は、接続補助層8、ダイヤモンド状炭素薄膜10、カソード配線層12bが順次積層された構造を有し、接続補助層8とカソード配線層12bとが直接接触することを防止し、微量の酸素、水分等が浸入した場合であってもカソード配線層12bの酸化、腐食が促進されることを抑制している。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板上に少なくとも一部が配設された発光制御回路と、前記基板および前記発光制御回路上に配設された絶縁層と、該絶縁層上に配設され、カソード配線層およびアノード配線層を有する発光素子とを備えた画像表示装置であって、
前記アノード配線層と同一の導電材料によって形成される第1の導電層と、
前記カソード配線層と電気的に接続され、前記カソード配線層と同一の導電材料によって形成される第2の導電層と、
前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に配設された第1のダイヤモンド状炭素薄膜と、
を有し、前記発光制御回路と前記発光素子とを電気的に接続するコンタクト配線構造を備えたことを特徴とする画像表示装置。
IPC (4):
H05B33/26
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/22
FI (5):
H05B33/26 Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/22 C
, H05B33/22 Z
F-Term (10):
3K007AB05
, 3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB04
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-166777
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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発光装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-151815
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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