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J-GLOBAL ID：200903046688200763

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 後藤 康正 ,  上村 孝明 ,  川久 慶人 ,  中島 充雄 ,  鈴木 光明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348473
Publication number (International publication number)：1995193252
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低リ-ク電流の薄膜半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコン膜に設けられた、ソ-ス領域、ドレイン領域、及びこれらソ-ス及びドレイン領域に挟まれたチャンネル領域を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン領域、又はソ-ス及びドレイン領域は、前記チャネル領域に隣接する第1の領域と、第2の領域とからなり、前記第1の領域と第2の領域は、同一又は近似する不純物濃度を有し、前記第1の領域の抵抗値は、前記第2の領域よりも高いことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン膜に設けられた、ソ-ス領域、ドレイン領域、及びこれらソ-ス及びドレイン領域に挟まれたチャンネル領域を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記ドレイン領域、又はソ-ス及びドレイン領域は、前記チャネル領域に隣接する第1の領域と、第2の領域とからなり、前記第1の領域と第2の領域は、同一又は近似する不純物濃度を有し、前記第1の領域の抵抗値は、前記第2の領域よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-283611
  
• 特開平3-034433
  
• 特開平3-283626