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J-GLOBAL ID：200903046689100282
ルミネッセンス測定方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992098959
Publication number (International publication number)：1993273131
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 光センサの光電変換効率の時間的変化によるルミネッセンス信号強度の誤差及び半導体試料と励起光とのなす角度によっておこるルミネッセンス信号の空間的変動を除去することにより半導体品質(結晶性)検査の信頼性を向上させる。【構成】 試料台1上にSi半導体基板2を設置し、Si半導体基板2の近傍位置の試料台1上にSi半導体基板2と同程度の厚さで、ある一定の表面粗さの反射板3a,3b ...3fを設置する。励起光を照射し、反射板3a,3b ...3fからの散乱光及びSi半導体基板2から発生するルミネッセンスを光センサによって検出する。検出したルミネッセンス信号強度によりSi半導体基板2の結晶性欠陥検査を行う。
Claim (excerpt)：
半導体のバンドギャップより大きなエネルギーを含む励起光を前記半導体に照射し、前記半導体から発生するルミネッセンスを光センサによりルミネッセンス信号として測定するルミネッセンス測定方法において、前記半導体を試料台上に載置し、前記半導体と同程度の厚さ、ある一定の表面粗さの反射板を前記半導体近傍位置の前記試料台上又は、前記半導体上に1個以上設置し、励起光を前記反射板に照射することによって発生する前記反射板からの散乱光を光センサにより散乱光信号として測定し、前記ルミネッセンス信号を前記散乱光信号で補正することを特徴とするルミネッセンス測定方法。
IPC (2)：
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