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J-GLOBAL ID：200903046705413563

半導体素子用リード

Inventor： 藤井 秀夫 ,  楠本 栄典
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 植木 久一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994249501
Publication number (International publication number)：1996115960
Application date： Oct. 14, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 プローブピンへのSnの溶着を防止して、疑似不良が発生することのない半導体素子用リードを提供する。【構成】 半導体素子の電気的特性を検査または測定する際に用いられる電極パッド部が、Cuからなる下地層の上にSn含有被覆層が形成されていると共に、上記Sn含有被覆層の表面にはSn酸化膜が形成されて前記下地層のCuが上記被覆層に拡散している半導体素子用リードにおいて、上記被覆層中におけるCuとSnの平均的組成比(Cu/Sn)が1.2以上3.0未満であるか、或いは0.2以下である。

Claim (excerpt)：

半導体素子の電気的特性を検査または測定する際に用いられる電極パッド部が、Cuからなる下地層の上にSn含有被覆層が形成されていると共に、上記Sn含有被覆層の表面にはSn酸化膜が形成されて前記下地層のCuが上記被覆層に拡散している半導体素子用リードにおいて、上記被覆層中におけるCuとSnの平均的組成比(Cu/Sn)が1.2以上3.0未満であることを特徴とする半導体素子用リード。