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J-GLOBAL ID：200903046706687420
半導体レーザ装置,及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995218913
Publication number (International publication number)：1997064479
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ヒートシンクをその下面に備えた半導体レーザ装置において、ヒートシンクと半導体レーザチップとの熱膨張率の差に起因して、発光領域にかかる内部ストレスを低減し、半導体レーザの寿命及び歩留を向上する。【解決手段】 レーザ下面電極を、キャップ層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極層7aと、該オーミック電極層7aの表面に形成され、ハンダ層8と合金化しない高融点金属よりなる非合金化電極層7bと、該非合金化電極層7bの表面の,発光領域5の長手方向の中心線の真下から左右に所定距離以上離れた領域に形成され、ハンダ層8と合金化する合金化電極層7cとの3層により形成し、上記非合金化電極層7bと、これに接触しているハンダ層8とは合金化せず、上記合金化電極7cとハンダ層8とが合金化して接着するようにしたものである。
Claim (excerpt)：
半導体レーザチップとヒートシンクとをハンダ層を介して接着してなる半導体レーザ装置において、上記半導体レーザチップに形成された下面電極は、上記ヒートシンクの上面に形成された上記ハンダ層と対向する表面の,該半導体レーザチップの発光領域の長手方向の中心線の真下から左,右に所定距離までの領域が、上記ハンダ層と合金化していない非合金化層により形成され、上記領域を除く上記レーザ下面電極の表面は上記ハンダ層と合金化することにより接着されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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