Pat

J-GLOBAL ID：200903046711470099

接続孔形成方法

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353995
Publication number (International publication number)：1994013341
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】接続孔の形成方法において、ソース/ドレイン領域あるいはゲート電極領域上に、良好なるオーミックコンタクトを得ることができるチタンシリサイド層を形成し得る方法を提供する。【構成】本発明の接続孔の形成方法は、半導体基板上に形成されたチタンシリサイド層28の上に層間絶縁層32を堆積させ、層間絶縁層に開口部34を設けてチタンシリサイド層の一部分を露出させた後、開口部内に金属配線材料を堆積させて接続孔を形成する方法である。そして、金属配線材料を堆積させる前に、露出したチタンシリサイド層にイオン衝撃処理を施すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたチタンシリサイド層の上に層間絶縁層を堆積させ、該層間絶縁層に開口部を設けてチタンシリサイド層の一部分を露出させた後、該開口部内に金属配線材料を堆積させて接続孔を形成する接続孔形成方法であって、金属配線材料を堆積させる前に、露出したチタンシリサイド層にイオン衝撃処理を施すことを特徴とする接続孔形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-071547
  
• 特開平3-060126
  
• 特開昭53-047766