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J-GLOBAL ID：200903046712343902
半導体封止用エポキシ組成物
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991177038
Publication number (International publication number)：1993025364
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：
【要約】【構成】 エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填剤(C)、ハイドロタルサイト系化合物(D)、臭素化合物(E)、アンチモン化合物(F)および下記式(I)MxOy(NO3 )z(OH)w・nH2 O ......(I)(Mは1種あるいは2種以上の3〜5価の遷移金属、x=1〜5、y=1〜7、z=0.2〜3、w=0.2〜3、n=0〜2を示す。)で表される無機イオン交換体(G)を含有してなる組成物であって、前記充填剤(C)の割合が全体の60〜95重量%であり、前記ハイドロタルサイト系化合物(D)の割合が全体の0.01〜10重量%であり、前記無機イオン交換体(G)の割合が全体の0.01〜10重量%である半導体封止用エポキシ組成物。【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ組成物は難燃性、高温信頼性および成形性に優れている。
Claim (excerpt)：
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填剤(C)、ハイドロタルサイト系化合物(D)、臭素化合物(E)、アンチモン化合物(F)および下記式(I) MxOy(NO3 )z(OH)w・nH2 O ......(I)(Mは1種あるいは2種以上の3〜5価の遷移金属、x=1〜5、y=1〜7、z=0.2〜3、w=0.2〜3、n=0〜2を示す。)で表される無機イオン交換体(G)を含有してなる組成物であって、前記充填剤(C)の割合が全体の60〜95重量%であり、前記ハイドロタルサイト系化合物(D)の割合が全体の0.01〜10重量%であり、前記無機イオン交換体(G)の割合が全体の0.01〜10重量%である半導体封止用エポキシ組成物。
IPC (7)：
C08L 63/00
, C08K 3/22 NKV
, C08K 3/24 NKV
, C08K 3/26 NKV
, C08K 5/02 NKZ
, H01L 23/29
, H01L 23/31
