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J-GLOBAL ID：200903046713709030

半導体装置

Inventor： 川端 毅 ,  吉田 隆幸 ,  石川 和弘 ,  下石坂 望 ,  杭東 詔夫 ,  影山 精一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084334
Publication number (International publication number)：2001274274
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置において数多くのチップが高密度に実装されると逆に基板温度が上昇し、放熱が進まなくなるという課題がある。【解決手段】 半導体チップ12が第1のキャリア基板1に実装され、第2のキャリア基板2上に第1のキャリア基板1が直立した状態で実装される。このようにして形成された半導体装置は実装基板上に第2のキャリア基板2の半田ボール5を介して実装基板13に実装されるものである。そして半導体チップ12からの発熱はサーマルビア10から第1のキャリア基板1上の銅箔6さらには第2のキャリア基板2の銅箔7へと広く伝えられる。また、半導体チップ12および第1のキャリア基板1からの発熱は、空気中へと逃げ易く、基板周辺の空気の通りが良いために対流による放熱が効果的に起こる。したがって、半導体装置単体での放熱性が優れたものとなる。

Claim (excerpt)：

半導体チップと、前記半導体チップを実装、電気接続し、前記半導体チップの底面側に露出する銅箔を有した第1のキャリア基板と、前記第1のキャリア基板を直立に実装、電気接続し、前記第1のキャリア基板の銅箔と接続する銅箔を表層に有する第2のキャリア基板と、前記第2のキャリア基板の少なくとも裏面に対して前記第2のキャリア基板と実装基板を電気接続するための電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/52 ,  H01L 25/00

FI (6)：

H01L 25/00 A ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/36 C ,  H01L 23/52 C

F-Term (4)：

5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BB08 ,  5F036BC33