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J-GLOBAL ID：200903046722142255

GaN系発光ダイオードおよび発光装置

Inventor：
平岡 晋

About 平岡 晋

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城市 隆秀

About 城市 隆秀

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高野 剛志

About 高野 剛志

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岡川 広明

About 岡川 広明


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005064665
Publication number (International publication number)：2006253240
Application date： Mar. 08, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：
【課題】コンタクト層の上に上部電極と反射膜とを別に設けることによって、上部電極の接触抵抗の増大を抑えながら、フリップチップ実装時の光取り出し効率を改善するとともに、上部電極と反射膜との積層状態のバラツキにより、コンタクト層と上部電極との接触抵抗の変動が生じるという問題を改善した、GaN系LEDを提供することを目的とする。 【解決手段】GaN系発光ダイオードのコンタクト層15の表面に、金属材料からなる上部電極P12を部分的に形成するとともに、前記上部電極P12が形成されていない部分に、前記上部電極P12と接しないように、金属材料からなる反射膜P13を形成する。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくともn型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層と、コンタクト層とを、この順に含む半導体積層体と、 前記コンタクト層の表面に部分的に形成された、金属材料からなる上部電極と、 前記コンタクト層の表面の前記上部電極が形成されていない部分に、前記上部電極と接しないように形成された、金属材料からなる反射膜と、 を有するGaN系発光ダイオード。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 発光ダイオード素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-055662   Applicant：ローム株式会社
  • ビーム放射型半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-336367   Applicant：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
Cited by examiner (11)
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