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J-GLOBAL ID：200903046722254150

半導体素子の接続構造

Inventor： 谷口 仁啓
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 大西 孝治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991206462
Publication number (International publication number)：1993029389
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子と接続基板の間の熱膨張係数差に対応して半田バンプに作用する応力を緩和し、高い信頼性を有する電気的接続を得ることを目的としている。【構成】 複数個のバンプ3 を有する半導体素子1 を、表面に導体の回路パターンが形成された接続基板2 に、フェイスダウン法によりフリップチップ接続する実装構造において、半導体素子1 の電極部あるいは接続基板2 のパッド部の少なくとも一方に、片持ち梁構造を有する突起部11または21あるいは11および21を形成し、前記片持ち梁先端部にバンプを形成し、若しくはバンプを接続する。

Claim (excerpt)：

複数個のバンプを有する半導体素子を、表面に導体の回路パターンが形成された接続基板に、フェイスダウン法によりフリップチップ接続する実装構造において、半導体素子の電極部あるいは接続基板のパッド部の少なくとも一方に、片持ち梁構造を有する突起部を形成し、前記片持ち梁先端部にバンプを形成すること、若しくはバンプを接続することを特徴とする半導体素子の接続構造。