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J-GLOBAL ID：200903046730425584

炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法

Inventor： 上谷 ▲高▼弘 ,  松下 保彦 ,  國里 竜也 ,  狩野 隆司 ,  上田 康博
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992337360
Publication number (International publication number)：1994188451
Application date： Dec. 17, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高光出力の炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 グラファイト製ルツボ4内に収納された不純物を含むSi融液5中にSiC単結晶基板8を浸漬し、該基板8上にp型,n型SiC層を成長する際、p型SiC層の成長温度をn型SiC層の成長温度に比べて低くする。

Claim (excerpt)：

ルツボ内の原料融液中にSiC単結晶基板を浸漬し、該基板上にp型SiC層並びにn型SiC層を液相エピタキシャル成長方法を用いて形成する炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法において、p型SiC層の成長温度をn型SiC層の成長温度より低く設定したことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法。