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J-GLOBAL ID:200903046763709839

スパッタエッチング装置の異常放電監視方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992023116
Publication number (International publication number):1993226296
Application date: Feb. 10, 1992
Publication date: Sep. 03, 1993
Summary:
【要約】【目的】 スパッタエッチングに関し,エッチング中に発生する異常放電を監視できるようにして, 処理の信頼性を向上することを目的とする。【構成】 1)半導体ウエハをスパッタエッチング処理中に,ガスプラズマの発光強度を監視して処理室内の異常放電を監視するように構成する。2)前記ガスプラズマの発光スペクトルにおいて波長705nm の発光強度を監視するように構成する。
Claim (excerpt):
半導体ウエハをスパッタエッチング処理中に,ガスプラズマの発光強度を検出して処理室内の異常放電を監視することを特徴とするスパッタエッチング装置の異常放電監視方法。
IPC (6):
H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46

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