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J-GLOBAL ID：200903046765170295

高密度ITO焼結体の製造方法及び高密度ITO焼結体、並びにそれを用いたITOスパッタターゲット

Inventor： 長谷川 彰 ,  藤沢 進治 ,  三枝 邦夫
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343154
Publication number (International publication number)：2000226254
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】ITO粉末を成形した後、焼結させるITOスパッタターゲットの製造方法において、スパッタターゲットとしての特性が優れ、工業的に有用なものである高密度ITO焼結体を提供する。【解決手段】インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して酸素ガス含有雰囲気中で焼結させるITO焼結体の製造方法において、インジウムと錫と酸素からなる粉末に含まれるハロゲン含有量が0.02重量%以下、焼結中の酸素ガス含有雰囲気の酸素濃度が90%以上、焼結中の酸素ガス含有雰囲気中に含まれる水蒸気分圧が800Pa以下であり、1500°C以上1650°C以下の温度範囲で1時間以上保持して焼結するITO焼結体の製造方法、および該製造方法により製造されるITO焼結体を加工して得られるITOスパッタターゲット。

Claim (excerpt)：

インジウムと錫と酸素からなる粉末を成形して酸素ガス含有雰囲気中で焼結させるITO焼結体の製造方法において、インジウムと錫と酸素からなる粉末に含まれるハロゲン含有量が0.02重量%以下、焼結中の酸素ガス含有雰囲気の酸素濃度が90%以上、焼結中の酸素ガス含有雰囲気中に含まれる水蒸気分圧が800Pa以下であり、1500°C以上1650°C以下の温度範囲で1時間以上保持して焼結することを特徴とするITO焼結体の製造方法。

IPC (4)：

C04B 35/457 ,  C04B 35/64 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503

FI (4)：

C04B 35/00 R ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/64 A