Pat
J-GLOBAL ID:200903046780878075
配線基板の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003026236
Publication number (International publication number):2004241427
Application date: Feb. 03, 2003
Publication date: Aug. 26, 2004
Summary:
【課題】配線導体の高密度化により配線導体の線幅が狭くなり、配線導体と絶縁層の接着強度が弱い。【解決手段】一方の面が平均結晶粒径0.7μm以下の銅結晶1が露出したシャイニー面2、他方の面が平均結晶粒径1μm以上の銅結晶1が露出したマット面3であり、銅結晶1をシャイニー面2からマット面3に向けてその結晶粒径が大きくなるように析出させて成る電解銅箔4をシャイニー面2が表面となるようにして転写用シート基材5に貼着して成る転写用シート6と耐熱性繊維に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁シート7とを用意する工程と、転写用シート6の電解銅箔4を配線パターン状にエッチングして配線導体8を形成するとともに配線導体8の表面を平均結晶粒径が0.8μm以上の銅結晶1が露出するまでシャイニー面2側からマイクロエッチングする工程を含む配線基板の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
一方の面が平均結晶粒径0.7μm以下の銅結晶が露出したシャイニー面、他方の面が平均結晶粒径1μm以上の銅結晶が露出したマット面であり、銅結晶を前記シャイニー面から前記マット面に向けてその結晶粒径が大きくなるように析出させて成る電解銅箔を前記シャイニー面が表面となるようにして転写用シート基材に貼着して成る転写用シートと耐熱性繊維に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させて成る絶縁シートとを用意する工程と、
前記転写用シートの前記電解銅箔を配線パターン状にエッチングして配線導体を形成するとともに該配線導体の表面を平均結晶粒径が0.8μm以上の銅結晶が露出するまで前記シャイニー面側からマイクロエッチングする工程と、
前記絶縁シートにレーザ光の照射により前記絶縁シートを貫通する貫通孔を穿孔する工程と、
該貫通孔内に導電性粉末と未硬化の熱硬化性樹脂とから成る導体ペーストを充填して貫通導体を形成する工程と、
前記配線導体と前記貫通導体とを接合するように前記絶縁シートの表面に前記転写用シートを積層して熱圧着した後、前記配線導体が転写された前記絶縁シートから前記転写用シート基材を剥離する工程と、
前記配線導体が転写された前記絶縁シートの複数枚を上下の前記配線導体を前記貫通導体で接合するように積層し加熱加圧して前記絶縁シートおよび前記導体ペースト中の熱硬化性樹脂を熱硬化する工程と
を行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2):
FI (4):
H05K3/46 G
, H05K3/46 N
, H05K3/46 X
, H05K3/38 B
F-Term (38):
5E343AA15
, 5E343AA17
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB34
, 5E343BB48
, 5E343BB67
, 5E343CC22
, 5E343GG04
, 5E343GG13
, 5E343GG20
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346CC33
, 5E346CC39
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD32
, 5E346EE06
, 5E346EE07
, 5E346EE08
, 5E346EE13
, 5E346FF18
, 5E346FF22
, 5E346GG06
, 5E346GG08
, 5E346GG15
, 5E346GG22
, 5E346GG27
, 5E346GG28
, 5E346HH07
, 5E346HH25
, 5E346HH33
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