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J-GLOBAL ID：200903046793032574

半導体装置とその製造方法

Inventor： 朝日 俊行 ,  菅谷 康博 ,  小松 慎五 ,  平野 浩一 ,  山下 嘉久 ,  砂川 義隆 ,  天見 和由 ,  中谷 誠一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000322893
Publication number (International publication number)：2002134653
Application date： Oct. 23, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 多層化に適し、高周波化に対応し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電気絶縁体101と電極パターン102と、前記電気絶縁体101の内部に配置し、前記電極パターン102に配置された半導体103及び貫通導体104を備え、前記貫通導体104の端面が前記電気絶縁体101から露出した半導体装置100。

Claim (excerpt)：

第1面と第2面を有する電気絶縁体と、前記電気絶縁体の少なくとも第1面に形成された第1の電極パターンと、前記電気絶縁体の内部に配置され、前記第1の電極パターンに接続された第1の半導体と、前記電気絶縁体の内部で前記半導体とは別の位置に配置され、前記第1面において前記第1の電極パターンに接続された貫通導体を備え、前記電気絶縁体の第2面から前記貫通導体の端面が露出することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11

FI (4)：

H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 25/14 Z